南(nán)京華瑞微集成電路(lù)有限公司（以下(xià)簡稱華瑞微）成立于2018年5月(yuè)(yuè)，公司地址位于南(nán)京市(shì)浦口高新(xīn)區科創廣場(chǎng)，是一(yī)家集功率器(qì)件産品研發、生(shēng)産、銷售和服務(wù)于一(yī)體(tǐ)的高新(xīn)技術企業。華瑞微已經研發成功且量産的産品包括高壓VDMOS、低(dī)壓Trench MOS、超結MOS和SGT MOS，同時(shí)正在開展第三代半導體(tǐ)（SiC、GaN）功率器(qì)件的研發工作(zuò)。

TRENCH MOS

溝槽式金(jīn)屬氧化(huà)物場(chǎng)效應晶體(tǐ)管（ Trench MOSFET ）與傳統VDMOS相比，具有更低(dī)的導通電阻Rdson和栅漏電荷密度，從而可實現(xiàn)更低(dī)的導通和開關(guān)損耗及更快(kuài)的開關(guān)速度。HRmicro的Trench MOSFET通過采用最先進的溝槽技術和芯片布局，可應用于工作(zuò)頻率小于100kHz的各種應用領域，很好(hǎo)(hǎo)的補充HRmicro的SGT系列産品，具有抗沖擊能(néng)力強，輸出效率高，成本低(dī)等特點；HRmicro結合最先進的封裝技術，可實現(xiàn)更高的輸出功率和可靠性，同時(shí)擁有各種小封裝産品可進一(yī)步提高電路(lù)集成度。

SGT MOS

采用電荷平衡原理(lǐ)，使得N型漂移區即使在較高摻雜濃度的情況下(xià)也(yě)能(néng)實現(xiàn)較高的擊穿電壓，從而獲得較低(dī)的導通電阻，打破傳統功率MOSFET的矽極限。 HRmicro SGT産品具有栅漏電容(Cgd)小，開關(guān)損耗低(dī) ,優值（FOM）低(dī)，抗大電流沖擊能(néng)力（EAS）強等特點，結合先進的封裝技術增加了(le)源極金(jīn)屬的接觸面積，減少封裝寄生(shēng)電阻，增強了(le)器(qì)件高溫工作(zuò)狀态下(xià)的散熱性能(néng)。

SUPER JUNCTION

HRmicro推出的第二代、第三代超結MOSFET系列産品，打破了(le)傳統平面VDMOS的矽極限，使得導通電阻與擊穿電壓的關(guān)系得到了(le)極大的改進，由傳統的2.5次方變為(wèi)線性關(guān)系，極大的優化(huà)了(le)器(qì)件的品質因數FOM（Rdson*Qg），比傳統VDMOS具有更快(kuài)的開關(guān)速度，更低(dī)的開關(guān)損耗，更優的轉換效率；第二代及第三代超結MOSFET分(fēn)别針對性的優化(huà)了(le)EMI特性、産品特征導通電阻特性，同時(shí)，也(yě)帶來(lái)了(le)DFN 8*8、TO-247等多種多樣的封裝形式，全面适用于照明應用、各類電源、适配器(qì)、手機、電腦等多種應用場(chǎng)景； 第二代及第三代超結同時(shí)推出了(le)快(kuài)恢複系列産品，極大的縮短了(le)超結MOSFET的反向恢複時(shí)間(jiān)，提高了(le)反向恢複能(néng)力，降低(dī)了(le)反向恢複損耗，适用于半橋、全橋等拓撲電路(lù)中，可應用于各種大功率電源、充電樁等産品中。