金(jīn)信實業(深圳)有限公司這(zhè)兩款适配器(qì)，看似體(tǐ)積以及外形都差别不大，但(dàn)是從原理(lǐ)出發确是天壤之别。今天，我們從原理(lǐ)出發剖析市(shì)面上(shàng)氮化(huà)镓的功能(néng)以及參數。
右側為(wèi)氮化(huà)镓脫掉外衣的樣子(zǐ)，那麽！氮化(huà)镓氮化(huà)镓！到底是哪個(gè)電子(zǐ)元器(qì)件添加了(le)氮化(huà)镓呢(ne)？ 下(xià)圖是充電器(qì)的主要電子(zǐ)元器(qì)件。
其實充電電子(zǐ)元器(qì)件裏面，是晶體(tǐ)管裏面添加了(le)氮化(huà)镓，而其他元器(qì)件均是常規電子(zǐ)件。
這(zhè)裏的晶體(tǐ)管是指MOSFET,半導體(tǐ)場(chǎng)效益晶體(tǐ)管。
而氮化(huà)镓晶體(tǐ)管與普通晶體(tǐ)管類似！底層也(yě)是純淨矽基，隻是在中間(jiān)添加了(le)氮化(huà)镓與氮化(huà)鋁镓！為(wèi)電子(zǐ)建設了(le)高速通道
普通場(chǎng)效應管
那麽！增加了(le)這(zhè)麽一(yī)層氮化(huà)镓以及氮化(huà)鋁镓，相對于普通場(chǎng)效應管，又有哪些(xiē)變化(huà)呢(ne)？
一(yī)，更高的擊穿強度
二，更快(kuài)的開關(guān)頻率
三，更低(dī)的導通電阻
四，更高的導熱系數
上(shàng)圖為(wèi)氮化(huà)镓與純淨矽的參考對比系數
1. 禁帶寬度，意思是當矽的電子(zǐ)需要逃離共價鍵時(shí)需1.12EV的能(néng)量，而淺顯意見，氮化(huà)镓的電子(zǐ)逃逸所需能(néng)量就(jiù)需要3.42VE。所以才有第三列，擊穿電場(chǎng)強度，氮化(huà)镓的擊穿電壓值是純淨矽的11倍
2. 電子(zǐ)遷移率：由表格可以看出氮化(huà)镓的電子(zǐ)遷移率比矽的要高很多，而這(zhè)裏的電子(zǐ)遷移率意思是在一(yī)定電壓，單位時(shí)間(jiān)内通過物體(tǐ)的電子(zǐ)數量。所以氮化(huà)镓的開關(guān)速率就(jiù)會更快(kuài)，反應更加靈敏。
3. 熱導率就(jiù)可以通俗易懂的理(lǐ)解為(wèi)散熱的快(kuài)慢(màn)
如(rú)此多的優點集一(yī)身(shēn)的氮化(huà)镓所以才會使得充電能(néng)夠更加高效，快(kuài)捷，且安全。
那麽将氮化(huà)镓适配器(qì)與擴展塢進行結合呢(ne)？會迸發出怎樣的一(yī)個(gè)産品？
其實市(shì)面上(shàng)早已有人(rén)先吃螃蟹
如(rú)圖！在沒有協議(yì)IC的情況下(xià)，氮化(huà)镓擴展塢直接将功率沖到30W，簡化(huà)了(le)線路(lù)的同時(shí)也(yě)控制了(le)成本 而在下(xià)圖可以看到，适配器(qì)上(shàng)有一(yī)個(gè)全功能(néng)C口，一(yī)個(gè)USB3.0A口，一(yī)個(gè)HDMI口 雖然說(shuō)此圖片上(shàng)的産品沒有HUB功能(néng)，但(dàn)是也(yě)是為(wèi)了(le)控制适配器(qì)大小，如(rú)果還需要增加插口的話(huà)就(jiù)需要用到HUB芯片。 解釋一(yī)下(xià)為(wèi)何此産品沒有用HUB芯片
由于HDMI信号無需經過HUB芯片進行擴展以及控制，端子(zǐ)直接2 lenTX/RX,SBU1/SBU2與C口連接，如(rú)果對于分(fēn)辨率有極高的要求，可4 len與口連接，而關(guān)于芯片工作(zuò)電壓問題可添加一(yī)顆DCDC進行降壓處理(lǐ)，給HDMI轉換芯片進行電壓供應，而USB3.0A口與C口D+/D-進行連接,所以此産品無需HUB芯片進行數據複制擴展。
